Presentation Information
[18a-PA3-4]Growth of α-Ga2O3 films on micro-patterned a-plane sapphire substrates
〇(M1)Kotaro Etokoro1, Takeru Wakamatsu1, Kentaro Kaneko2, Katsuhisa Tanaka1 (1.Kyoto Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)
Keywords:
alpha-Ga2O3,epitaxial lateral overgrowth,mist-CVD
α-Ga2O3は近年, ワイドバンドギャップ半導体材料として注目されているが, 成長時にサファイア基板との格子不整合により, 高密度の貫通転位が薄膜中に導入されてしまう懸念がある。本研究では, a面サファイア基板表面に縞状の微細なパターンを導入し, ミストCVD法を用いてα-Ga2O3薄膜を成長させ, 基板表面の微細構造が薄膜の形状に及ぼす影響を調べた。