[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-4] 微細加工を施したa面サファイア基板におけるα-Ga₂O₃薄膜の成長

〇(M1)永所 康太朗¹、若松 岳¹、金子 健太郎²、田中 勝久¹ (1.京大院工、2.立命館大総研)

キーワード：

α-Ga2O3、横方向成長、ミストCVD

α-Ga₂O₃は近年, ワイドバンドギャップ半導体材料として注目されているが, 成長時にサファイア基板との格子不整合により, 高密度の貫通転位が薄膜中に導入されてしまう懸念がある。本研究では, a面サファイア基板表面に縞状の微細なパターンを導入し, ミストCVD法を用いてα-Ga₂O₃薄膜を成長させ, 基板表面の微細構造が薄膜の形状に及ぼす影響を調べた。