Presentation Information
[18a-PA3-6]Characterization of Physical Properties and Ultraviolet Response Characteristics of GaOx Thin films Deposited by CSD and Mist-CVD Methods
〇Yuki Nakano1, Iori Yamasaki1, Akito Horibe1, Masatoshi Koyama1, Kazuto Koike1, Akihiko Fujii1, Toshihiko Maemoto1 (1.Osaka Inst. of Tech.)
Keywords:
Gallium oxide,UV photodetector,Ga2O3
環境負荷の低い非真空プロセスであるCSD法およびMist CVD法によりc面サファイア基板上にGaOx薄膜を成膜し，それらの物性と紫外線応答を比較評価した．両薄膜はいずれも非晶質で平坦な表面を有し，光学バンドギャップは約5.0 eVであった．これらの薄膜に作製したMSM型光検出器はUV-Cにのみ選択的な応答を示した．これらの特性について，本焼成・PDA処理温度による影響についても報告する．