講演情報
[18a-PA3-6]CSD法およびミストCVD法で成膜したGaOx薄膜の物性と紫外線応答特性の評価
〇中野 有貴1、山崎 伊織1、堀部 彰人1、小山 政俊1、小池 一歩1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大)
キーワード：
酸化ガリウム、紫外線検出器、Ga2O3
環境負荷の低い非真空プロセスであるCSD法およびMist CVD法によりc面サファイア基板上にGaOx薄膜を成膜し，それらの物性と紫外線応答を比較評価した．両薄膜はいずれも非晶質で平坦な表面を有し，光学バンドギャップは約5.0 eVであった．これらの薄膜に作製したMSM型光検出器はUV-Cにのみ選択的な応答を示した．これらの特性について，本焼成・PDA処理温度による影響についても報告する．