[18a-PA3-1~39] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18a-PA3-8] Effect of input power in remote plasma-enhanced atomic layer deposition on the electrical characteristics of polycrystalline Ga-doped In₂O₃ channels

〇Hikaru Hoshikawa¹, Hiroto Makuuchi¹, Takanori Takahashi¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:

oxide semiconductor,Atomic layer deposition,Field effect transister

多結晶Ga添加In₂O₃(IGO)をチャネルに用いた電界効果トランジスタは120cm²/Vs程度の高い電界効果移動度(μ_FE)を示すが、プラズマ支援原子層堆積(PEALD)法による成膜では、長い酸化時間によるプラズマダメージが今後の課題となる。本研究では、リモートプラズマ式PEALDによりIGOを成膜し、プラズマ生成時の投入電力がFET特性に及ぼす影響を評価した。投入電力の低減によりμ_FEおよびサブスレッショルド・スイングが改善し、プラズマダメージが減少したことが示唆された。