[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-8] リモートプラズマ式原子層堆積法における投入電力が多結晶Ga添加In₂O₃の電気的特性に与える影響

〇星川 輝¹、幕内 宏斗¹、髙橋 崇典¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：

酸化物半導体、原子層堆積法、電界効果トランジスタ

多結晶Ga添加In₂O₃(IGO)をチャネルに用いた電界効果トランジスタは120cm²/Vs程度の高い電界効果移動度(μ_FE)を示すが、プラズマ支援原子層堆積(PEALD)法による成膜では、長い酸化時間によるプラズマダメージが今後の課題となる。本研究では、リモートプラズマ式PEALDによりIGOを成膜し、プラズマ生成時の投入電力がFET特性に及ぼす影響を評価した。投入電力の低減によりμ_FEおよびサブスレッショルド・スイングが改善し、プラズマダメージが減少したことが示唆された。