[18a-S2_203-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[18a-S2_203-3] Analysis of Polycrystalline Si Grain Size Distribution during Laser Annealing in 3D Flash Memory

〇Kota Horikawa¹, Koichi Sakata¹, Sadatoshi Murakami¹, Shinya Arai¹, Koji Arita¹, Kyohei Nabesaka², Atsushi Shimoda², Makoto Koto² (1.KIOXIA, 2.Sandisk)

Keywords:

semiconductor,3D Flash Memory,Laser Anneal

3次元フラッシュメモリのレーザーアニール（LA）処理時、多結晶Siの粒径がメモリホールの周期端に配置したスリット近傍で小さくなる要因をシミュレーションと実験で解析を実施。スリット内の熱伝導体への熱拡散がスリット近傍のメモリホールの温度低下と粒径減少の主要因であり、熱伝導率の低い材料に置換すると、粒径差がほぼ消失することを確認した。