講演情報
[18a-S2_203-3]3次元フラッシュメモリにおけるレーザーアニール処理時の多結晶Si粒径分布の解析
〇堀川 晃太1、坂田 晃一1、村上 貞俊1、荒井 伸也1、有田 幸司1、鍋坂 恭平2、下田 淳2、古藤 誠2 (1.キオクシア、2.サンディスク)
キーワード：
半導体、３次元フラッシュメモリ、レーザーアニール
3次元フラッシュメモリのレーザーアニール（LA）処理時、多結晶Siの粒径がメモリホールの周期端に配置したスリット近傍で小さくなる要因をシミュレーションと実験で解析を実施。スリット内の熱伝導体への熱拡散がスリット近傍のメモリホールの温度低下と粒径減少の主要因であり、熱伝導率の低い材料に置換すると、粒径差がほぼ消失することを確認した。