[18a-S2_203-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[18a-S2_203-5] Improvement of Memory Cell Characteristics in 3D Flash Memories with Gate Side Injection and Isolated Charge Trap Structure

〇Tatsuya Ishikawa¹, Hiroshi Takeda¹, Takashi Kurusu¹ (1.KIOXIA)

Keywords:

Flash Memories,TCAD,semiconductor

ゲート側注入型のフラッシュメモリは書込性能の向上に期待できる一方で、書込み時にゲート端にンネル電流が集中するため隣接セルへの干渉（NWI）が大きくなってしまうという課題がある。ゲート側注入のNWI対策としてセル毎に独立した電荷蓄積層を持つCT分断構造をゲート注入型構造に適用し計算を行った結果、良好な書込み特性とNWI対策を両立するセル構造が得られた。