[18a-S2_203-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-S2_203-6] Highly Granular Method for Extraction of RTN in the Readout Current of 40nm TaO_X-based ReRAM

〇(M2)Yushi Elliot Abarra¹, Naoko Misawa¹, Chihiro Matsui¹, Ken Takeuchi¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:

ReRAM,Random telegraph noise,Computation-in-Memory

本研究では、抵抗変化型メモリ（ReRAM）の読み出し電流中に観測される時間的揺らぎであるランダムテレグラフノイズ（RTN）を解析する。RTNはdiscrete shiftとspikeの二種類に分類される。本研究では、それぞれのRTNの種類に特化した三つの既存解析手法を適応し、それらの課題を補完する高解析粒度な新規手法を提案する。解析の結果、ReRAMの中間抵抗状態において、RTNに起因する出力電流の不安定性が特に大きいことが明らかとなった。