講演情報
[18a-S2_203-6]40nm TaOXベースReRAMの読み出し電流中のRTNの高精度抽出手法
〇(M2)アバラ エリオット 勇士1、三澤 奈央子1、松井 千尋1、竹内 健1 (1.東大工)
キーワード：
抵抗変化型メモリ、ランダムテレグラフノイズ、コンピュテーション・イン・メモリ
本研究では、抵抗変化型メモリ（ReRAM）の読み出し電流中に観測される時間的揺らぎであるランダムテレグラフノイズ（RTN）を解析する。RTNはdiscrete shiftとspikeの二種類に分類される。本研究では、それぞれのRTNの種類に特化した三つの既存解析手法を適応し、それらの課題を補完する高解析粒度な新規手法を提案する。解析の結果、ReRAMの中間抵抗状態において、RTNに起因する出力電流の不安定性が特に大きいことが明らかとなった。