[18a-W2_401-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-W2_401-3] Analysis of fluorine diffusion pathways to a nitrogen vacancy in gallium nitride based on first-principles calculations

〇(M2)Yuki Fujishiro¹, Tomoe Yayama¹, Takahiro Nagata², Toyohiro Chikyow², Fumiko Akagi¹ (1.Kogakuin Univ., 2.NIMS)

Keywords:

gallium nitride,defect,first-principles calculation

我々は、窒化ガリウム(GaN)の窒素(N)空孔に起因する欠陥状態を抑制するため、フッ素(F)による欠陥の終端に着目している。本発表では、第一原理計算によるCI-NEB法を用いて、GaN表面から内部へのF原子の拡散経路を解析した。N空孔のない場合の結晶内部への拡散と、N空孔近傍の準安定位置に至るまでの経路について拡散障壁を比較することで、欠陥の有無によるGaN結晶内部におけるF原子の移動しやすさの変化について考察を行った。