[18a-W2_401-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-W2_401-3] 第一原理計算に基づく窒化ガリウム窒素空孔へ吸着するフッ素の拡散経路に関する解析

〇(M2)藤代 裕貴¹、屋山 巴¹、長田 貴弘²、知京 豊裕²、赤城 文子¹ (1.工学院大、2.NIMS)

キーワード：

窒化ガリウム、欠陥、第一原理計算

我々は、窒化ガリウム(GaN)の窒素(N)空孔に起因する欠陥状態を抑制するため、フッ素(F)による欠陥の終端に着目している。本発表では、第一原理計算によるCI-NEB法を用いて、GaN表面から内部へのF原子の拡散経路を解析した。N空孔のない場合の結晶内部への拡散と、N空孔近傍の準安定位置に至るまでの経路について拡散障壁を比較することで、欠陥の有無によるGaN結晶内部におけるF原子の移動しやすさの変化について考察を行った。