[18a-W2_401-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[18a-W2_401-9] Influence of He carrier-gas on growth of GaInN by MOVPE

〇Yuki Arai^1,2, Saito Tasuke^1,3, Honda Tohru², Imanaka Yasutaka¹, Sumiya Masatomo¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ., 3.University of Tsukuba)

Keywords:

semiconductor,GaInN

H₂やN₂雰囲気よりもHe中ではNH₃分解効率が促進される報告により、我々はHeガス雰囲気MOCVDによるGaInN薄膜成長を試み、同じ基板温度でN₂雰囲気中のものよりもInNモル分率と成長速度が高くなることを報告してきた。今回、HeおよびN₂キャリアガス雰囲気中でGaN/GaInN量子井戸構造とAlGaN/GaInNヘテロ構造を成長して、光学特性および2次元電子ガス（2DEG）の輸送特性からキャリアガス依存性について検討したので報告する。