講演情報
[18a-W2_401-9]MOVPEによるGaInN薄膜成長におけるHeキャリアガスの影響
〇新井 雄稀1,2、齋藤 太助1,3、本田 徹2、今中 康貴1、角谷 正友1 (1.物材機構、2.工学院大、3.筑波大)
キーワード：
半導体、GaInN
H2やN2雰囲気よりもHe中ではNH3分解効率が促進される報告により、我々はHeガス雰囲気MOCVDによるGaInN薄膜成長を試み、同じ基板温度でN2雰囲気中のものよりもInNモル分率と成長速度が高くなることを報告してきた。今回、HeおよびN2キャリアガス雰囲気中でGaN/GaInN量子井戸構造とAlGaN/GaInNヘテロ構造を成長して、光学特性および2次元電子ガス（2DEG）の輸送特性からキャリアガス依存性について検討したので報告する。