[18a-W8E_101-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)

[18a-W8E_101-12] Selective electrochemical etching of OVPE-GaN substrate from GaN epitaxial layer for fabricating GaN-on-Diamond substrate

〇Masafumi Yokoyama¹, Kiyotoshi Iimura¹, Tatsuya Moriyama², Sogo Yokoi³, Shigeyoshi Usami³, Masayuki Imanishi³, Naoteru Shigekawa⁴, Junichi Takino⁵, Tomoaki Sumi⁵, Yoshio Okayama⁵, Atsushi Tanaka⁶, Yoshio Honda⁶, Hiroshi Amano⁶, Yusuke Mori³ (1.Sumitomo Chemical Co., Ltd., 2.Sch. of Eng., Osaka Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 4.Inst. of Eng., Osaka Metropolitan Univ., 5.Panasonic Holdings Corp., 6.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:

OVPE-GaN,electrochemical etching,selective etching

高いキャリア濃度の OVPE-GaN 基板上に低いキャリア濃度の GaN エピ層を成長した GaN/OVPE-GaN 基板を用いて、OVPE-GaN 基板の GaN エピ層からの電気化学エッチングによる選択エッチングについて検討した。さらに、OVPE-GaN 基板を選択エッチングした GaN エピ層が、GaN-on-Diamond 基板の作製に向けて利用できるかを検討した。