[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

12:00 〜 12:15

[18a-W8E_101-12] GaN-on-Diamond 基板の作製に向けた OVPE-GaN 基板の GaN エピ層からの電気化学エッチングによる選択エッチング

〇横山 正史¹、飯村 清寿¹、森山 達也²、横井 創吾³、宇佐美 茂佳³、今西 正幸³、重川 直輝⁴、滝野 淳一⁵、隅 智亮⁵、岡山 芳央⁵、田中 敦之⁶、本田 善央⁶、天野 浩⁶、森 勇介³ (1.住友化学株式会社、2.大阪大学工学部、3.大阪大学大学院工学研究科、4.大阪公立大学工学研究科、5.パナソニックホールディングス株式会社、6.名古屋大学未来材料・システム研究所)

キーワード：

OVPE-GaN、電気化学エッチング、選択エッチング

高いキャリア濃度の OVPE-GaN 基板上に低いキャリア濃度の GaN エピ層を成長した GaN/OVPE-GaN 基板を用いて、OVPE-GaN 基板の GaN エピ層からの電気化学エッチングによる選択エッチングについて検討した。さらに、OVPE-GaN 基板を選択エッチングした GaN エピ層が、GaN-on-Diamond 基板の作製に向けて利用できるかを検討した。