[18a-W8E_101-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[18a-W8E_101-4] Positron Induced Luminescence of GaN Substrates

〇FUMIMASA HORIKIRI¹, Toshihiro Nakamura¹, Kazuo Kuriyama¹, Tomoyoshi Mishima¹, Tomoaki Nishimura¹, Atsushi Kinomura² (1.Hosei Univ., 2.Kyoto Univ.)

Keywords:

GaN,Positron Induced,Luminescence

本発表では、規制線量以下(< 1 MBq)の取り扱いが簡易な低放射能陽電子線源のNa-22からの放射線を照射する事で、GaN試料のバルク内部からの発光を観察する事に成功したので、その結果について報告する。