[18a-W8E_101-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[18a-W8E_101-8] The structure of very first atomic layer of Ga oxide on GaN at the GaN oxidation front

〇Emi Kano¹, Shuto Hattori¹, Kenji Shiraishi², Atsushi Oshiyama², Tetsuo Narita³, Tetsu Kachi¹, Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ., 2.Tohoku Univ., 3.Toyota central R&D)

Keywords:

GaN,TEM,GaN oxidation front

GaN MOSFETでは絶縁膜/GaN界面欠陥が特性を左右するが、その原子配列の実験的解析は未報告であった。本研究では、PE-ALDで形成したAlSiO/GaN試料をTEMと第一原理計算で解析し、Ga酸化膜/GaN界面の原子配列を解明した。界面最表面のGa面間隔は内部より約12％大きく、Ga-O-Ga構造形成と整合することを示した。さらに界面原子ステップが界面準位形成に寄与する可能性を指摘した。