[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[18a-W8E_101-8] Ga酸化膜/GaN界面構造の原子分解能解析

〇狩野 絵美¹、服部 柊人¹、白石 賢二²、押山 淳²、成田 哲生³、加地 徹¹、五十嵐 信行¹ (1.名大、2.東北大、3.豊田中研)

キーワード：

GaN、TEM、酸化膜界面

GaN MOSFETでは絶縁膜/GaN界面欠陥が特性を左右するが、その原子配列の実験的解析は未報告であった。本研究では、PE-ALDで形成したAlSiO/GaN試料をTEMと第一原理計算で解析し、Ga酸化膜/GaN界面の原子配列を解明した。界面最表面のGa面間隔は内部より約12％大きく、Ga-O-Ga構造形成と整合することを示した。さらに界面原子ステップが界面準位形成に寄与する可能性を指摘した。