[18a-W9_324-1~9] KS.1 Solid State Quantum Sensor Group

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[18a-W9_324-4] Relationship between Electron Irradiation Dose and Magnetic Sensitivity in the Formation of Silicon Vacancies in 4H-SiC

〇(M1)Akinori Nishimoto^1,2, Shinichiro Sato², Koichi Murata³, Masafumi Hanawa³, Seiichi Saiki², Yuichi Yamazaki², Hidekazu Tsuchida³, Yasuto Hizikata¹, Takeshi Oshima² (1.Saitama Univ., 2.QST, 3.CRIEPI)

Keywords:

4H-SiC,Optically Detected Magnetic Resonance,Magnetic sensitivity

炭化ケイ素中の負電荷シリコン空孔(V^-_Si)を用いた磁気センサについて、高濃度条件における磁気感度を検討した。高純度半絶縁性4H-SiCに2 MeV電子線照射を行い、形成したV^-_Siに対して室温ODMR測定を実施し、照射量と磁気感度の関係を系統的に評価した。その結果、高濃度化によりピーク強度の低下及び半値幅の増加が生じ、磁気感度が劣化することが明らかとなった。また発光遷移寿命や透過率変化との関連から、感度低下の要因についても議論する。