[18a-W9_324-1~9] KS.1 固体量子センサ研究会

10:30 〜 10:45

[18a-W9_324-4] 4H-SiC中のシリコン空孔形成における電子線照射量と磁気感度の関係

〇(M1)西本 瑛雄^1,2、佐藤 真一郎²、村田 晃一³、花輪 雅史³、佐伯 誠一²、山崎 雄一²、土田 秀一³、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大学院、2.QST、3.電中研)

キーワード：

4H-SiC、光検出磁気共鳴、磁気感度

炭化ケイ素中の負電荷シリコン空孔(V^-_Si)を用いた磁気センサについて、高濃度条件における磁気感度を検討した。高純度半絶縁性4H-SiCに2 MeV電子線照射を行い、形成したV^-_Siに対して室温ODMR測定を実施し、照射量と磁気感度の関係を系統的に評価した。その結果、高濃度化によりピーク強度の低下及び半値幅の増加が生じ、磁気感度が劣化することが明らかとなった。また発光遷移寿命や透過率変化との関連から、感度低下の要因についても議論する。