[18a-W9_324-1~9] KS.1 Solid State Quantum Sensor Group

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[18a-W9_324-5] Effects of Electron Irradiation Temperature on the Defect Formation in 4H-SiC

〇Noboru Taguchi^1,2, Shinichiro Sato², Koichi Murata³, Shota Yamazaki², Naotsugu Nagasawa², Naoto Hagura¹ (1.TCU, 2.QST, 3.CRIEPI)

Keywords:

4H-SiC,Electron irradiation,Defect formation

本講演では、4H-SiCにおける電子線照射時温度が欠陥形成に及ぼす影響について報告する。シリコン空孔（Vsi⁻）を主対象とし、照射温度および照射後アニール条件を制御した試料に対して、フォトルミネッセンス測定を行った。その結果、高温照射条件下ではVsi⁻起因発光強度が低下し、形成が抑制されることが明らかとなった。照射温度に依存した欠陥生成・消失機構およびスピン特性への影響について議論する。