講演情報
[18a-W9_324-5]電子線照射温度が4H-SiCの欠陥形成に与える影響
〇田口 登1,2、佐藤 真一郎2、村田 晃一3、山﨑 翔太2、長澤 尚胤2、羽倉 尚人1 (1.東京都市大、2.QST、3.電中研)
キーワード：
4H-SiC、電子線照射、欠陥形成
本講演では、4H-SiCにおける電子線照射時温度が欠陥形成に及ぼす影響について報告する。シリコン空孔（Vsi⁻）を主対象とし、照射温度および照射後アニール条件を制御した試料に対して、フォトルミネッセンス測定を行った。その結果、高温照射条件下ではVsi⁻起因発光強度が低下し、形成が抑制されることが明らかとなった。照射温度に依存した欠陥生成・消失機構およびスピン特性への影響について議論する。