[18a-W9_324-1~9] KS.1 Solid State Quantum Sensor Group

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[18a-W9_324-6] Luminescence Properties of Vanadium Centers in 4H-SiC Formed by Ion Implantation

〇Yoshitaro Uchida^1,2, Shinichiro Sato², Tsuchida Hidetsugu¹ (1.Kyoto Univ., 2.QST)

Keywords:

Vanadium,Point defect,Single photon source

V中心は決定論的単一光子源の有力候補であるが、導入時のイオン注入に伴う格子欠陥が課題となる。そのため、注入後の熱処理によって欠陥を回復させつつ、発光特性を最大限に引き出す条件を見出す必要がある。Vイオン注入後の熱処理条件を調査し、1500℃で発光強度が最大化することを明らかにし、高温域での消光示唆などの知見を得た。当日は、発光寿命等の基礎特性に加え、単一光子検出に向けた進捗についても議論する。