講演情報
[18a-W9_324-6]イオン注入により形成した4H-SiC中のバナジウム中心の発光特性
〇内田 義太郎1,2、佐藤 真一郎2、土田 秀次1 (1.京都大工、2.QST)
キーワード：
バナジウム、点欠陥、単一光子源
V中心は決定論的単一光子源の有力候補であるが、導入時のイオン注入に伴う格子欠陥が課題となる。そのため、注入後の熱処理によって欠陥を回復させつつ、発光特性を最大限に引き出す条件を見出す必要がある。Vイオン注入後の熱処理条件を調査し、1500℃で発光強度が最大化することを明らかにし、高温域での消光示唆などの知見を得た。当日は、発光寿命等の基礎特性に加え、単一光子検出に向けた進捗についても議論する。