[18p-M_178-1~8] 17.3 Layered materials

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[18p-M_178-2] Selective point-defect imaging in monolayer WSe₂ by conductive AFM

〇(M1C)Yuki Shimomura^1,2, Yuta Sawai^1,2, Ryotaro Sakakibara¹, Kenji Watanabe¹, Takashi Taniguchi¹, Shoji Yoshida³, Yasumitsu Miyata^1,2 (1.NIMS, 2.Tokyo Metro. Univ., 3.Tsukuba Univ.)

Keywords:

Conductive Atomic Force Microscopy,Transition Metal Dichalcogenides,Atomic defect

導電性原子間力顕微鏡（cAFM）はTMDの点欠陥可視化に有効だが、単層TMDでは低いトンネル障壁により安定計測が困難である。そこで本研究では数層hBNをトンネル障壁として用いたcAFMに着目した。hBN被覆により高電圧下でも安定したトンネル電流が得られ、多数の点欠陥と、それに由来する状態密度の変化が観察された。これにより、単層TMDの欠陥観察と電子状態評価への有効性が示された。