講演情報
[18p-M_178-2]導電性AFMによるWSe2の点欠陥選択的イメージング
〇(M1C)下村 侑生1,2、澤井 悠太1,2、榊原 涼太郎1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、吉田 昭二3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.筑波大数理)
キーワード：
導電性原子間力顕微鏡、遷移金属ダイカルコゲナイド、原子欠陥
導電性原子間力顕微鏡（cAFM）はTMDの点欠陥可視化に有効だが、単層TMDでは低いトンネル障壁により安定計測が困難である。そこで本研究では数層hBNをトンネル障壁として用いたcAFMに着目した。hBN被覆により高電圧下でも安定したトンネル電流が得られ、多数の点欠陥と、それに由来する状態密度の変化が観察された。これにより、単層TMDの欠陥観察と電子状態評価への有効性が示された。