[18p-S2_203-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[18p-S2_203-10] Analysis and design of Nb ALD processes using neural network potential molecular mechanics

〇Noboru Sato¹, Akimasa Nakashima¹, Jun Yamaguchi¹, Naoki Tamaoki¹, Atsuhi Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:

Plasma Atomic Layer Deposition,Niobium

ニオブ（Nb）は半導体配線や量子コンピュータ向け超伝導材料として期待されるが、還元が難しく低温CVD/ALD例は少ない。本研究ではNbCl₅/H₂プラズマPEALDにおける高抵抗率の要因解明を目的に、MatlantisによるNNP分子動力学を用いて反応過程を解析した。Nb(110)面上でのNbCl₅飽和吸着挙動を明らかにし、得られた知見に基づくプロセス改良について報告する。