[18p-S2_203-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[18p-S2_203-5] A Study on n-type Ge Contacts Using Conductive Oxide Film Electrodes

〇Koya Kudo^1,2, Chia-Tsong Chen², Wen Hsin Chang², Tatsuro Maeda² (1.Chiba Univ., 2.AIST)

Keywords:

transparent conductive oxide,indium oxide,specific contact resistivity

本発表では、導電性酸化膜電極を用いた低抵抗n型Geコンタクトを目指して、ICO:H膜を10nmまで薄膜化して、CTLM法を用いてコンタクト性能を評価した結果を報告する。