[[C]C303-1am] 04. 物理化学―物性

9:50 〜 10:00日本語

[[C]C303-1am-03] 金属イオンドープInP 量子ドットの励起子素過程に及ぼす表面状態の影響

○谷口 美空¹、山田 彩利¹、江口 大地¹、玉井 尚登¹ (1. 関西学院大学)

キーワード：

リン化インジウム量子ドット、励起子素過程、フェムト秒過渡吸収分光