[[C]C507-2vn] 19. コロイド・界面化学

15:55 〜 16:15日本語

[[C]C507-2vn-01] 不純物イオンをドープしたシリコン量子ドットの合成と溶液プロセスによるP-N接合構築

○白幡 直人^1,2、山田 博之¹、Batu Ghosh¹ (1. 物質・材料研究機構、2. 北海道大学)

キーワード：

シリコン量子ドット、不純物ドーピング、p-n ホモ接合、フォトダイオード、直交溶媒技術