講演情報
[3-D2-04]半導体製造のCVDプロセス材料に着目したカーボンエミッションの試算
*竹本 創1、山木 雄大1、Nguyen Thuy1、畑山 博樹1、岡田 直也1、片岡 祥1、深沢 正永1、右田 真司1、内田 紀行1 (1. 産業技術総合研究所)
キーワード：
半導体製造、CVDプロセス材料、排出原単位、GHG、プロセスシミュレーション
半導体製造プロセスの環境負荷低減が求められており、カーボンエミッションの定量的評価が必須である。シリコン半導体デバイスに欠かせないタングステン(W)電極を形成しているChemical Vapor Deposition (CVD)プロセスのWF6ガスに着目し、CO2排出原単位の算出を行ってきた。本研究では、W電極形成を行うCVD装置のプロセスデータから、WF6の使用量を算出しCO2排出原単位と掛け合わせ、製造プロセスにおいてWF6使用に伴う、カーボンエミッションを試算した。