タイムテーブル 2023年9月21日(木) | 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会

シンポジウム(口頭講演)(9:20 〜 11:50)

[21a-A201-1~12]

【一般公開】就活生必見！業界はあなたを求めている！～成長する半導体産業を未来へつなぐ多様な人財

為近恵美(横国大)

シンポジウム：【一般公開】就活生必見！業界はあなたを求めている！～成長する半導体産業を未来へつなぐ多様な人財

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 16:55)

[21p-A201-1~8]

日本が挑む最先端ロジックへの再挑戦

井田次郎(金沢工大)、遠藤和彦(東北大)、福島誉史(東北大)、松永範昭(アプライドマテリアルズジャパン)

シンポジウム：日本が挑む最先端ロジックへの再挑戦

ランチョンセミナー(12:15 〜 12:55)

[21p-A201-LS1~LS1]

（一社）日本半導体製造装置協会

ランチョンセミナー：（一社）日本半導体製造装置協会

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:50)

[21p-A202-1~9]

光と物質の相互作用が創り出す二次元材料研究の新しい潮流

守谷頼(東大)、森山悟士(東京電機大)

シンポジウム：光と物質の相互作用が創り出す二次元材料研究の新しい潮流

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[21a-A202-1~11]

17.3 層状物質

青木伸之(千葉大)

17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

シンポジウム(口頭講演)(9:00 〜 11:35)

[21a-A301-1~5]

量子技術の最前線と社会実装の潮流

岩本敏(東大)、大岩顕(阪大)

シンポジウム：量子技術の最前線と社会実装の潮流

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:10)

[21p-A301-1~7]

量子技術の最前線と社会実装の潮流

小坂英男(横国大)、齊藤志郎(NTT)

シンポジウム：量子技術の最前線と社会実装の潮流

ランチョンセミナー(12:10 〜 12:50)

[21p-A301-LS1~LS1]

（国研）産業技術総合研究所

ランチョンセミナー：（国研）産業技術総合研究所

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[21a-A302-1~12]

8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

小川大輔(中部大)

8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:15)

[21p-A302-1~9]

8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

関根誠(名大)

8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

一般セッション(口頭講演)(17:00 〜 17:45)

[21p-A302-12~14]

8.6 Plasma Electronics English Session

北﨑訓(福岡工大)

8 プラズマエレクトロニクス：8.6 Plasma Electronics English Session

一般セッション(口頭講演)(16:00 〜 17:00)

[21p-A302-10~11]

8.7 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演

伊藤昌文(名城大)

8 プラズマエレクトロニクス：8.7 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演

シンポジウム(口頭講演)(9:00 〜 12:05)

[21a-A303-1~5]

クロスオーバーシンポジウム「有機エレクトロニクスの開拓と未来展望」

八瀬清志(産総研)

シンポジウム：クロスオーバーシンポジウム「有機エレクトロニクスの開拓と未来展望」

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 18:05)

[21p-A303-1~7]

クロスオーバーシンポジウム「有機エレクトロニクスの開拓と未来展望」

長谷川達生(東大)、芥川智行(東北大)

シンポジウム：クロスオーバーシンポジウム「有機エレクトロニクスの開拓と未来展望」

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:55)

[21p-A304-1~9]

薄膜・表面物理における研究手法技術の最新動向

小川修一(日大)、影島博之(島根大)

シンポジウム：薄膜・表面物理における研究手法技術の最新動向

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[21a-A304-1~11]

13.5 デバイス／配線／集積化技術

堀匡寛(静大)

13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

ランチョンセミナー(12:20 〜 13:00)

[21p-A304-LS1~LS1]

日本セミラボ（株）

ランチョンセミナー：日本セミラボ（株）

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 18:25)

[21p-A305-1~11]

日韓共同応用物理シンポジウム　「フォトニクス技術」

荒川太郎(横国大)、山口敦史(金沢工大)

シンポジウム：日韓共同応用物理シンポジウム　「フォトニクス技術」

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[21a-A305-1~10]

2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術

田久創大(量研機構)

2 放射線：2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-A306-1~9]

17.2 グラフェン

永瀬雅夫(徳島大)

17 ナノカーボン・二次元材料：17.2 グラフェン

ランチョンセミナー(12:10 〜 12:50)

[21p-A306-LS1~LS1]

（株）東陽テクニカ

ランチョンセミナー：（株）東陽テクニカ

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-A307-1~10]

6.3 酸化物エレクトロニクス

長谷川剛(早大)

6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 19:15)

[21p-A307-1~23]

6.3 酸化物エレクトロニクス

近松彰(お茶の水女子大)、廣瀬文彦(山形大)、高橋圭(理研)

6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

一般セッション(口頭講演)(13:15 〜 16:30)

[21p-A308-1~12]

3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

岩本敏(東大)、角倉久史(NTT)

3 光・フォトニクス：3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

一般セッション(口頭講演)(9:15 〜 12:00)

[21a-A308-1~10]

CS.6 3.10 フォトニック構造・現象、 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクスのコードシェアセッション

雨宮智宏(東工大)、デ・ゾイサメーナカ(京大)

CS コードシェアセッション：【CS.6】 3.10 フォトニック構造・現象、 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクスのコードシェア

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-A309-1~9]

3.11 ナノ領域光科学･近接場光学（旧3.12）

八井崇(豊橋技科大)、高島祐介(徳島大)

3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学（旧3.12）

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 18:00)

[21p-A309-1~18]

3.11 ナノ領域光科学･近接場光学（旧3.12）

岩長祐伸(物材機構)、宮田将司(NTT)、村井俊介(京大)

3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学（旧3.12）

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-A310-1~9]

CS.2 3.2 情報フォトニクス・画像工学、4.4 Information Photonicsのコードシェアセッション

文仙正俊(福岡大)

CS コードシェアセッション：【CS.2】 3.2 情報フォトニクス・画像工学、4.4 Information Photonicsのコードシェア

一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-A311-1~8]

9.5 新機能材料・新物性

河底秀幸(東北大)

9 応用物性：9.5 新機能材料・新物性

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:00)

[21p-A311-1~15]

9.5 新機能材料・新物性

笹川崇男(東工大)、高瀬浩一(日大)

9 応用物性：9.5 新機能材料・新物性

シンポジウム(口頭講演)(9:30 〜 12:00)

[21a-A401-1~4]

国内のマテリアル戦略とインフォマティクス応用

知京豊裕(物材機構)

シンポジウム：国内のマテリアル戦略とインフォマティクス応用

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:15)

[21p-A401-1~6]

国内のマテリアル戦略とインフォマティクス応用

小嗣真人(東理大)、冨谷茂隆(奈良先端大)

シンポジウム：国内のマテリアル戦略とインフォマティクス応用

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-A501-1~9]

9.3 ナノエレクトロニクス

内藤泰久(産総研)、今井茂(立命館大)

9 応用物性：9.3 ナノエレクトロニクス

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 14:00)

[21p-A501-1~4]

9.3 ナノエレクトロニクス

知田健作(NTT)

9 応用物性：9.3 ナノエレクトロニクス

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-A601-1~10]

3.1 光学基礎・光学新領域（旧3.2「材料・機器光学」と統合）

藤原英樹(北海学園大)、田村守(阪大)

3 光・フォトニクス：3.1 光学基礎・光学新領域（旧3.2「材料・機器光学」と統合）

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:00)

[21p-A601-1~11]

8.4 プラズマライフサイエンス

柳生義人(佐世保高専)、田中宏昌(名大)

8 プラズマエレクトロニクス：8.4 プラズマライフサイエンス

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:15)

[21p-A602-1~11]

2.4 医用応用

納冨昭弘(九大)、古場裕介(量研機構)、張維珊(都立大)

2 放射線：2.4 医用応用

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-A602-1~9]

3.7 光計測技術・機器（旧3.8）

染川智弘(レーザー総研)、大饗千彰(電通大)

3 光・フォトニクス：3.7 光計測技術・機器（旧3.8）

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[21a-B101-1~11]

15.4 III-V族窒化物結晶

本田善央(名大)、新田州吾(名大)

15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:00)

[21p-B101-1~16]

15.4 III-V族窒化物結晶

小林篤(東理大)、正直花奈子(京大)、林侑介(阪大)

15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[21a-B201-1~9]

8.4 プラズマライフサイエンス

栗田弘史(豊橋技科大)

8 プラズマエレクトロニクス：8.4 プラズマライフサイエンス

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)

[21p-B201-1~16]

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

佐藤威友(北大)

13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

一般セッション(口頭講演)(9:45 〜 11:30)

[21a-B202-1~7]

11.1 基礎物性

長尾雅則(山梨大)、松本凌(物材機構)

11 超伝導：11.1 基礎物性

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:45)

[21p-B202-1~12]

11.1 基礎物性

八巻和宏(宇都宮大)、小森祥央(名大)

11 超伝導：11.1 基礎物性

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:15)

[21p-B203-1~7]

13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

蓮沼隆(筑波大)

13 半導体：13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[21a-B203-1~11]

CS.12 9.4 熱電変換、合同セッションMのコードシェアセッション

鵜殿治彦(茨城大)、野村政宏(東大)

CS コードシェアセッション：【CS.12】 9.4 熱電変換、合同セッションM「フォノンエンジニアリング」のコードシェア

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 19:00)

[21p-B204-1~19]

11.4 アナログ応用および関連技術

山森弘毅(産総研)、美馬覚(情通機構)、服部香里(産総研)、牧瀬圭正(国立天文台)

11 超伝導：11.4 アナログ応用および関連技術

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:00)

[21a-B204-1~7]

CS.3 3.4 レーザー装置・材料、3.13 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション

三上勝大(近⼤)、古瀬裕章(物材機構)

CS コードシェアセッション：【CS.3】 3.4 レーザー装置・材料、3.13 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェア

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[21a-B205-1~10]

3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

谷峻太郎(東大)、長谷川智士(宇都宮大)

3 光・フォトニクス：3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:45)

[21p-B205-1~8]

3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

花田修賢(弘前大)、小幡孝太郎(理研)

3 光・フォトニクス：3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 10:45)

[21a-C301-1~6]

11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

末吉哲郎(九州産業大)、筑本知子(中部大)

11 超伝導：11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)

[21p-C301-1~13]

11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

田中雅光(名大)、竹内尚輝(産総研)、知名史博(情通機構)

11 超伝導：11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:00)

[21p-C402-1~16]

6.2 カーボン系薄膜

毎田修(阪大)、大曲新矢(産総研)、稲葉優文(九大)

6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 10:45)

[21a-C402-1~7]

CS.9 6.2 カーボン系薄膜、KS.1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

岩崎孝之(東工大)

CS コードシェアセッション：【CS.9】 6.2 カーボン系薄膜、KS.1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 10:30)

[21a-C501-1~6]

10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

林将光(東大)

10 スピントロニクス・マグネティクス：10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

一般セッション(口頭講演)(10:45 〜 12:00)

[21a-C501-7~11]

10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

巻内崇彦(東大)

10 スピントロニクス・マグネティクス：10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:45)

[21p-C501-1~19]

10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

三輪真嗣(東大)、山本竜也(産総研)、黒川雄一郎(九大)

10 スピントロニクス・マグネティクス：10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 20:00)

[21p-C601-1~23]

12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

佐伯昭紀(阪大)、辨天宏明(奈良先端大)、市川結(信州大)、 Hyung Do Kim(京大)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

半導体セミナー(9:00 〜 12:00)

[21a-C601-1~1]

半導体デバイスの基礎①　～デバイスの機能を生み出す半導体の性質

半導体セミナー：半導体デバイスの基礎①　～デバイスの機能を生み出す半導体の性質

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[21a-D901-1~11]

12.6 ナノバイオテクノロジー

手老龍吾(豊橋技科大)、淺川雅(金沢大)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.6 ナノバイオテクノロジー

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 19:00)

[21p-D901-1~19]

12.6 ナノバイオテクノロジー

林智広(東工大)、三浦篤志(北大)、早水裕平(東工大)、三宅丈雄(早大)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.6 ナノバイオテクノロジー

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[21a-D902-1~10]

12.7 医用工学・バイオチップ

細川千絵(大阪公立大)、酒井洸児(NTT)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.7 医用工学・バイオチップ

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:15)

[21p-D902-1~17]

12.7 医用工学・バイオチップ

須田隆夫(熊本高専)、安浦雅人(産総研)、張慧(群馬大)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.7 医用工学・バイオチップ

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:30)

[21p-D903-1~16]

6.4 薄膜新材料

西川博昭(近畿大)、相馬拓人(東工大)、川口昂彦 (静岡大)

6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[21a-D903-1~10]

CS.13 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池、13.9 化合物太陽電池、16.3 シリコン系太陽電池のコードシェアセッション

白井康裕(物材機構)、金子竜二(エネコートテクノロジーズ)

CS コードシェアセッション：【CS.13】 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池、13.9 化合物太陽電池、16.3 シリコン系太陽電池のコードシェア

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P01-1~8]

4 JSAP-Optica Joint Symposia 2023（ポスター）

4 JSAP-Optica Joint Symposia 2023：4 JSAP-Optica Joint Symposia 2023（ポスター）

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P01-1~14]

8.1 プラズマ生成・診断

8 プラズマエレクトロニクス：8.1 プラズマ生成・診断

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P02-1~10]

6.1 強誘電体薄膜

6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P02-1~6]

8.3 プラズマナノテクノロジー

8 プラズマエレクトロニクス：8.3 プラズマナノテクノロジー

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P03-1~16]

6.4 薄膜新材料

6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P03-1~4]

8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野

8 プラズマエレクトロニクス：8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P04-1~11]

6.5 表面物理・真空

6 薄膜・表面：6.5 表面物理・真空

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P04-1~4]

15.1 バルク結晶成長

15 結晶工学：15.1 バルク結晶成長

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P05-1~8]

6.6 プローブ顕微鏡

6 薄膜・表面：6.6 プローブ顕微鏡

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P05-1~10]

15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P06-1~17]

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P06-1~14]

15.4 III-V族窒化物結晶

15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P07-1~2]

15.6 IV族系化合物（SiC）

15 結晶工学：15.6 IV族系化合物（SiC）

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P07-1~2]

15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P08-1~2]

16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

16 非晶質・微結晶：16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[21a-P08-1~2]

22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」：22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[21p-P09-1~30]