9:00
10:00
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12:00
13:00
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15:00
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17:00
A201 (熊本城ホール)
A202 (熊本城ホール)
A301 (熊本城ホール)
A302 (熊本城ホール)
A303 (熊本城ホール)
A304 (熊本城ホール)
A305 (熊本城ホール)
A306 (熊本城ホール)
A307 (熊本城ホール)
A308 (熊本城ホール)
A309 (熊本城ホール)
A310 (熊本城ホール)
A311 (熊本城ホール)
A401 (熊本城ホール)
A601 (熊本城ホール)
A602 (熊本城ホール)
B101 (市民会館)
B201 (市民会館)
B202 (市民会館)
B203 (市民会館)
B204 (市民会館)
B205 (市民会館)
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[23a-A201-1~11]

10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

塩田 陽一(京大)、 日比野 有岐(産総研)
10 スピントロニクス・マグネティクス:10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[23p-A201-1~11]

10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

張 超亮(東北大)、 白 怜士(慶大)
10 スピントロニクス・マグネティクス:10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[23a-A202-1~11]

17.3 層状物質

山本 真人(関大)
17 ナノカーボン・二次元材料:17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[23p-A202-1~11]

17.3 層状物質

松岡 秀樹(理研)
17 ナノカーボン・二次元材料:17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[23a-A301-1~9]

8.1 プラズマ生成・診断

竹田 圭吾(名城大)
8 プラズマエレクトロニクス:8.1 プラズマ生成・診断
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:45)
[23p-A301-1~14]

8.1 プラズマ生成・診断

竹田 圭吾(名城大)、 松田 良信(長崎大)
8 プラズマエレクトロニクス:8.1 プラズマ生成・診断
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[23a-A302-1~9]

FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

田中 啓文(九工大)、 太田 健介(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」:FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:45)
[23p-A302-1~13]

FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

太田 健介(ソニーセミコンダクタソリューションズ)、 丸亀 孝生(東芝)
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」:FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:30)
[23a-A303-1~11]

13.3 絶縁膜技術

三谷 祐一郎(都市大)、 田岡 紀之(愛工大)
13 半導体:13.3 絶縁膜技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:30)
[23p-A303-1~8]

13.3 絶縁膜技術

山本 圭介(九大)
13 半導体:13.3 絶縁膜技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[23a-A305-1~12]

13.8 光物性・発光デバイス

七井 靖(防衛大)、 舘林 潤(阪大)
13 半導体:13.8 光物性・発光デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[23p-A305-1~13]

13.8 光物性・発光デバイス

加藤 有行(長岡技科大)、 中西 貴之(物材機構)
13 半導体:13.8 光物性・発光デバイス
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[23a-A306-1~11]

2.1 検出器デバイス開発

黒澤 俊介(東北大)
2 放射線:2.1 検出器デバイス開発
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 13:45)
[23p-A306-1~2]

2.1 検出器デバイス開発

黒澤 俊介(東北大)
2 放射線:2.1 検出器デバイス開発
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[23a-A307-1~9]

6.3 酸化物エレクトロニクス

塩貝 純一(阪大)
6 薄膜・表面:6.3 酸化物エレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:00)
[23p-A307-1~15]

6.3 酸化物エレクトロニクス

島 久(産総研)、 高 相圭(株式会社村田製作所)
6 薄膜・表面:6.3 酸化物エレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:00)
[23p-A311-1~6]

16.2 エナジーハーベスティング

藤田 孝之(兵庫県立大)
16 非晶質・微結晶:16.2 エナジーハーベスティング
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[23a-A401-1~8]

12.4 有機EL・トランジスタ

松島 敏則(九大)、 千葉 貴之(山形大)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.4 有機EL・トランジスタ
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[23a-A601-1~9]

3.9 光量子物理・技術(旧3.10)

松田 信幸(東北大)
3 光・フォトニクス:3.9 光量子物理・技術(旧3.10)
一般セッション(口頭講演)(13:15 〜 16:00)
[23p-A601-1~10]

3.9 光量子物理・技術(旧3.10)

行方 直人(日大)、 柏崎 貴大(NTT)
3 光・フォトニクス:3.9 光量子物理・技術(旧3.10)
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[23a-A602-1~9]

15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

有元 圭介(山梨大)
15 結晶工学:15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
一般セッション(口頭講演)(12:45 〜 17:00)
[23p-A602-1~16]

15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

佐道 泰造(九大)、 松村 亮(物材機構)
15 結晶工学:15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 14:45)
[23p-B101-1~5]

3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

松本 敦(情通機構)
3 光・フォトニクス:3.12 半導体光デバイス(旧3.13)
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[23a-B101-1~11]

15.4 III-V族窒化物結晶

関口 寛人(豊橋技科大)、 齋藤 義樹(豊田合成)
15 結晶工学:15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 12:00)
[23a-B202-1~10]

1.5 計測技術・計測標準

寺崎 正(産総研)
1 応用物理学一般:1.5 計測技術・計測標準
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:00)
[23p-B202-1~6]

1.5 計測技術・計測標準

寺崎 正(産総研)
1 応用物理学一般:1.5 計測技術・計測標準
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[23p-B203-1~13]

1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境

藤井 克司(理研)、 内田 ヘルムート 貴大(東海大)
1 応用物理学一般:1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[23a-B204-1~11]

3.5 超高速・高強度レーザー(旧3.6)

佐藤 駿丞(筑波大)、 廣理 英基(京大)
3 光・フォトニクス:3.5 超高速・高強度レーザー(旧3.6)
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[23p-B204-1~12]

3.5 超高速・高強度レーザー(旧3.6)

佐藤 駿丞(筑波大)、 嵐田 雄介(筑波大)、 山田 俊介(量研)
3 光・フォトニクス:3.5 超高速・高強度レーザー(旧3.6)
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[23a-B205-1~11]

13.2 探索的材料物性・基礎物性

鵜殿 治彦(茨城大)、 山口 憲司(量研機構)、 久米 徹二(岐阜大)
13 半導体:13.2 探索的材料物性・基礎物性
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 14:45)
[23p-B205-1~5]

13.2 探索的材料物性・基礎物性

山口 憲司(量研機構)
13 半導体:13.2 探索的材料物性・基礎物性