講演情報
[22a-12A-5]GaAs基板上InGaAsバッファ層を用いたType-Ⅱ量子井戸の成長と評価
〇高島 陸人1、本部 好記1、臼井 一旗1、國武 幸一郎1、鈴木 秀俊1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)
キーワード：
半導体,InGaAs
GaAs基板上メタモルフィックInGaAsとSb系のType-Ⅱ材料を組み合わせることで格子歪による制限を緩和し設計の自由度を高められるのではないかと考え初期検討を行った。その結果、GaAs基板上にそのまま成長させたものより、GaAs基板上メタモルフィックInGaAs上に成長させたものの方がPL強度が大きく、長波長化することを確認した。