[22a-12A-1~11] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

10:30 〜 10:45

[22a-12A-6] ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性（Ⅱ）

〇趙 亮¹、Gandhi Kallarasan Periyanayagam¹、ZHANG JUNYU¹、矢田 涼介¹、下村 和彦¹ (1.上智大学)

キーワード：

親水性直接貼付,シリコンフォトニクス,InP