講演情報
[22a-12G-5]SiC MOS-FETによる高dV/dtパルス電圧を用いた大気圧面発射型プラズマの発光強度の時空間分布
〇白藤 立1、黒田 幸司1、松本 侑1、川西 元輝1、数森 祥悟1、呉 準席1 (1.大阪公大工)
キーワード：
プラズマ弾丸,dV/dt,SiC
誘電体面から垂直発射可能な大気圧面発射型プラズの生成において，パルス電源のスイッチング用MOS FETをSiからSiCに変更することで，dV/dtが34 kV/μsから67 kV/μsに向上した．この高dV/dtパルス電圧を用いることで，電圧立ち上がり時に生成される大気圧面発射型プラズマの発光強度が増加するとともに，伝播速度が向上した．これは，大気圧面発射型プラズマの高効率生成にSiC MOS FETの活用が極めて有効であることを意味している．