今回名取研二先生を記念する賞を頂き驚きと感謝の気持です。これは約半世紀前、サブミクロンLSIを目指していた頃の研究です。提案したLDD (lightly Doped Drain) 構造はドレイン電界を緩和し、短チャネル効果を抑制しホットキャリアによる様々な問題を防止出来る構造です。その後LDDFETはIBMの小椋正気氏のグループなどにより普及改良され極微細CMOSLSIの発展に寄与して来ました。