[22a-12J-1~8] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:30

[22a-12J-1] [シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）受賞記念講演] LDDMOSFET提案前後

〇齋藤 和之¹ (1.なし)

キーワード：

LDDMOSFET,MOS集積回路,微細CMOS技術

今回名取研二先生を記念する賞を頂き驚きと感謝の気持です。これは約半世紀前、サブミクロンLSIを目指していた頃の研究です。提案したLDD (lightly Doped Drain) 構造はドレイン電界を緩和し、短チャネル効果を抑制しホットキャリアによる様々な問題を防止出来る構造です。その後LDDFETはIBMの小椋正気氏のグループなどにより普及改良され極微細CMOSLSIの発展に寄与して来ました。