講演情報
[22a-12J-2][シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 極薄膜ナノシートチャネルにおける表面ラフネス散乱の非線形摂動モデリングと高移動度化
〇隅田 圭1 (1.東大院工)
キーワード：
ナノシート,表面ラフネス散乱,移動度
極薄膜ナノシートチャネルでは表面ラフネス(SR)による大幅な移動度劣化が課題である一方, 表面ラフネス散乱の従来モデルにも定量性に課題が残る. 従って本研究では, 表面ラフネス散乱の摂動の本質的な非線形性を考慮したモデルを開発し, 提案モデルに基づき2 nmの膜厚まで様々な面方位の各材料の移動度を評価し, 極薄膜チャネルにおける最適なチャネル材料と面方位を明らかにした.