講演情報
[22a-12J-3][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 3次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxチャネルナノシートトランジスタ
〇日掛 凱斗1、李 卓1、郝 俊翔1、パンディ チトラ1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、髙橋 崇典2、上沼 睦典2、浦岡 行治2、小林 正治1,3 (1.東大生研、2.奈良先端大、3.東大d.lab)
キーワード：
酸化物半導体,原子層堆積法,InGaOx
原子層堆積法で成膜したInGaOx (IGO)をチャネルに用いたFETの熱安定性、In, Ga組成比依存性、膜厚依存性を系統的に調査し、移動度、しきい値電圧、信頼性の間のトレードオフ関係を明らかにした。また、ダブルゲートナノシート IGO FETを作製することにより、ノーマリオフ動作、高移動度、高信頼性を両立するデバイス動作を実証した。