[22a-12J-1~8] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

10:45 〜 11:00

[22a-12J-5] FinFETを用いた低電圧駆動NV-SRAMのパワーゲーティング性能

〇塩津 勇作¹、山崎 修¹、菅原 聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：

パワーゲーティング,SRAM