講演情報
[22a-21C-6]GaInN/GaN多重量子殻LEDにおけるプラズマ発光モニターを用いた(0001)面ITOエッチングに関する検討
〇服部 祐汰1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、稲葉 颯磨1、島 綾香1、伊井 詩織1、高橋 美月1、山中 優輝1、久保田 光星1 (1.名城大理)
キーワード：
ナノワイヤ
GaNナノワイヤ（NW）上に成長された多重量子殻（MQS）活性層を有するMQS-LEDは、極性面(0001）、非極性面(10-10)及び半極性面(1-101)で構成されている。従来のMQS-LEDは、欠陥密度が大きい(0001)面から電流注入が始まるため、低電流領駆動時に発光効率が低いという課題がある。本研究では、プラズマ発光モニターを活用することで(0001)面上部のITOを選択的に高精度のエッチングすることで(0001)面への電流を遮断する効果に関する検討を行った。