講演情報
[22a-P02-1]P3HT/g-C3N4薄膜ヘテロ接合形成と光起電力効果
〇伊藤 大記1、野田 啓1 (1.慶應大理工)
キーワード：
グラファイト状窒化炭素,光電変換,薄膜デバイス
グラファイト状窒化炭素（g-C3N4）は、炭素と窒素で構成されるメタルフリーな光電変換材料として注目されており、可視光応答を持つn型半導体である。本研究では、g-C3N4の光電変換応用への可能性を探求すべく、g-C3N4を熱化学気相成長法により薄膜化し、p型高分子半導体であるP3HTとの薄膜ヘテロ接合形成を試みた。作製したP3HT/g-C3N4ヘテロ接合の電流電圧特性、光応答性について報告する。