[22p-11F-1~15] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

15:45 〜 16:00

[22p-11F-9] III-V小片/SOIウェハ接合を用いたSi光回路上への種々のInP系エピタキシャル構造の一体集積

〇菊地 健彦^1,2,3、黒川 宗高^1,2、藤原 直樹^1,2,3、井上 尚子^1,2,3、御手洗 拓矢^1,2,3、藤方 秀成^1,2、平谷 拓生^1,2、新田 俊之^1,2,3、伊藤 友樹^1,2、渡邉 冬馬^1,2、李 昌勇^1,2、古谷 章^1,2、堀川 剛³、西山 伸彦^1,3、八木 英樹^1,2,3 (1.PETRA、2.住友電工伝送デバイス研、3.東工大工)

キーワード：

III-V/Siハイブリッド集積,小片接合,親水化接合

III-V/Siハイブリッド集積は高速・低消費電力を両立する次世代光集積回路の実現に有望であり、我々はこれまでにSOI基板上へInP小片(面積: 4 mm²)を直接接合するプロセスを用いてハイブリッドレーザを作製してきた。今回、アクティブデバイスの多機能集積に向けて、InP小片1個あたりの面積を1 mm²以下に縮小し、小片接合を用いて、種々のエピタキシャル層構造のSi光回路上への一括集積に成功したので報告する。