講演情報
[22p-12C-8]シリコン量子ドットにおける多正孔スピン状態の緩和時間測定
〇近藤 知宏1、溝口 来成1、坂本 剛1、土屋 龍太2、峰 利之2、久本 大2、水野 弘之2、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東工大小寺研、2.日立研開)
キーワード：
量子ドット
本研究では、シリコン量子ドットデバイスを用いて多正孔スピン状態の緩和時間測定を行った。実験では、パルス電圧を利用してスピン状態の初期化を行い、RF反射波の位相変化からスピン状態の緩和時間を測定した。結果からT1Mは4.3 µs、T1は0.91 msであることが明らかになった。今後、磁場や温度へのT1の依存性を調査することで、スピン状態緩和の更なる理解が期待される。