[22p-12E-1~13] 2.1 検出器デバイス開発

14:45 〜 15:00

[22p-12E-6] Nd:YAG レーザーによるレーザー誘起裏面ドーピングを用いたIn/CdTe/Au p–n ガンマ線検出器

〇三宅 拓¹、西澤 潤一²、青木 徹^1,2、三村 秀典^1,2 (1.ANSeeN(株)、2.静大)

キーワード：

CdTe半導体,ガンマ線検出器,フラットパネル検出器

Nd:YAG レーザーを使用したレーザー誘起の In 裏面ドーピングにより、p 型 CdTe に n 型層を形成した。 ホール効果測定により、Inドープ領域上に n 型層が形成されていることが確認された。 In/CdTe/Au p-n ダイオードは、裏面からのレーザー誘起ドーピングによってガンマ線検出器として作製した。 In陽極側の画素化は困難であったが、In陽極電極にガードリング構造を導入し、漏れ電流の少ない電子収集型検出器を実現した。In/CdTe/Au p-n ガンマ線検出器では整流挙動が明確に観察された。