講演情報
[22p-12G-8]光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたプラズマ照射下でのシリコンウェハ表面温度のリアルタイム測定
〇(M1)後藤 隆之介1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
キーワード：
プラズマプロセス,クライオエッチング,表面温度
プラズマプロセスにおいて, ウェハ表面温度をリアルタイムで測定することが工程管理上大変重要である. 特に-60℃付近にウェハ温度を下げて行うクライオエッチングではウェハ表面温度がエッチングレートに大きな影響を及ぼすことが報告されている. しかし, ウェハ表面側からの温度測定はプラズマにより困難であり, 裏面側からはプラズマからの入熱とウェハ裏面の冷却で生じる温度勾配により, それぞれ正確な表面温度を見積もることが困難である. 我々はこれまでにウェハに裏面からレーザを照射し, ウェハの温度変化に伴いその反射光が干渉することを原理とした光学干渉非接触温度測定法(OICT) を開発し, ウェハ裏面より表面温度を測定する技術を報告してきた. 本研究ではOICTの解析手法を改良し, プラズマプロセス中のシリコンウェハ表面温度のリアルタイム計測に取り組んだ.