講演情報
[22p-12K-6]GaN上のMn3(Ge,Mn)Nエピタキシャル薄膜における磁気抵抗効果
〇川口 昂彦1、杉浦 怜希1、菅原 祐哉1、坂元 尚紀1、脇谷 尚樹1 (1.静大院工)
キーワード：
磁気抵抗効果,窒化物,エピタキシャル薄膜
我々はPLD法を用いてMn3(Ge,Mn)Nの薄膜作製に取り組み、これまでにMgO(001)基板上やGaN(0001)テンプレート上へのエピタキシャル成長に成功している。今回の研究においてGaN上のMn3(Ge,Mn)N薄膜が比較的大きな磁気抵抗効果を示すことを予期せず発見した。これはMgO(001)基板上のMn3(Ge,Mn)N薄膜では観測されずGaN上に製膜した効果であると考えられる。そこで本研究ではPLD法を用いて作製したMn3(Ge,Mn)N薄膜の磁気抵抗効果について調査することを目的とした。