講演情報
[22p-32A-8]カーボンナノチューブ不揮発性メモリ素子の基本物理構造とその基礎物性
〇森本 崇宏1、小橋 和文1、佐次田 直也2、大野 潤2 (1.産総研、2.富士通セミコンダクターメモリソリューションズ)
キーワード：
カーボンナノチューブ,カーボンナノチューブ不揮発性メモリ,抵抗変化メモリ
カーボンナノチューブ不揮発性メモリ（CRAM）は、電圧印可による抵抗変化を利用したメモリ素子であり、不揮発性・高速書き込み性・高書き込み耐性・高い情報保持力など次世代メモリとして高いポテンシャルを有している。一方で、基本動作原理やCNT電極界面の挙動など未解明な部分も多く残されている。本講演では、CNT層中の基本構造として見出された、CNTが潰れスタックした構造に関して、その基本物性と評価およびバンドルレベルでの電気特性などについて報告を行う予定で有る。